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PBSS2515M中文资料

PBSS2515M图片

PBSS2515M外观图

  • 大小：67.43KB
  • 厂家：
  • 描述：15 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 所属类别：模拟类/双极型小信号晶体管(BipolarTransistors-SmallSignal)
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：0.62mm
  • 封装类型：SC-101
  • 尺寸：0.47 x 1.02 x 0.62mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：430 mW
  • 最大发射极-基极电压：6 V
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.1 V
  • 最大直流集电极电流：0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压：15 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.25 V
  • 最大集电极-基极电压：15 V
  • 最小直流电流增益：90 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：420 MHz
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极小信号
  • 配置：单
  • 长度：1.02mm
  • 高度：0.47mm

PBSS2515M供应商

更新时间:2023-01-04 08:02:50
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