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PBSS2515M中文资料

PBSS2515M图片

PBSS2515M外观图

  • 大小:67.43KB
  • 厂家:
  • 描述:15 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 所属类别:模拟类/双极型小信号晶体管(BipolarTransistors-SmallSignal)
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:0.62mm
  • 封装类型:SC-101
  • 尺寸:0.47 x 1.02 x 0.62mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:430 mW
  • 最大发射极-基极电压:6 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V
  • 最大直流集电极电流:0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压:15 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.25 V
  • 最大集电极-基极电压:15 V
  • 最小直流电流增益:90 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:420 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极小信号
  • 配置:单
  • 长度:1.02mm
  • 高度:0.47mm

PBSS2515M供应商

更新时间:2023-01-04 08:02:50
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